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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CMP優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
答案：
1.優(yōu)點(diǎn)
1） 能獲得全局平坦化。
2） 對(duì)于各種各樣的硅片表面都能平坦化。
1） 能獲得全局平坦化。
2） 對(duì)于各種各樣的硅片表面都能平坦化。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述多晶硅注入的應(yīng)用
答案：
源漏區(qū)注入
該部分的注入工藝其能量相對(duì)較低，但劑量屬中高范圍，一般采用中束流及大束流注入機(jī)。
（1）...
該部分的注入工藝其能量相對(duì)較低，但劑量屬中高范圍，一般采用中束流及大束流注入機(jī)。
（1）...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述離子注入的應(yīng)用？
答案：
溝道區(qū)及阱區(qū)摻雜這部分注入工藝的能量比較寬，但劑量屬中低范圍，所以此部分注入工藝基本上使用中束流及高能注入機(jī)。
