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問答題

【案例分析題】已知有16K×1的DRAM芯片，其引腳功能如下：地址輸入A6～A0，行地址選擇RAS，列地址選擇CAS，數(shù)據(jù)輸入端DIN，數(shù)據(jù)輸出端DOUT，控制端WE。請用給定芯片構(gòu)成256KB的存儲器，采用奇偶校驗。試問：若芯片內(nèi)部采用128×128矩陣排列，求異步刷新時該存儲器的刷新間隔。

答案：若芯片內(nèi)部采用128×128矩陣排列，設(shè)芯片的最大刷新間隔時間為2ms ，則相鄰兩行之間的刷新間隔為：刷新間隔＝最大刷新...

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答案：若芯片內(nèi)部采用128×128矩陣排列，設(shè)芯片的最大刷新間隔時間為2ms ，則相鄰兩行之間的刷新間隔為：刷新間隔＝最大刷新...

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