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多項選擇題

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

A.形成
B.孵化
C.生長
D.團聚

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多項選擇題

降溫法生長關鍵控制技術包括（）等。

A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應力
D.選擇合理的生長速率

單項選擇題

膜層與基片的結合強度相比較：（）。

A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍