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多項選擇題

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長速率

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單項選擇題

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍

單項選擇題

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

A.嚴(yán)格選擇和控制生長條件
B.溫場的合理設(shè)計
C.儀器控制靈敏
D.外界環(huán)境振動干擾較少

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