A.72 B.113 C.260 D.360
A.場(chǎng)管比IGBT頻率高 B.IGBT比場(chǎng)管導(dǎo)通壓降低 C.單支IGBT的 功率容量比場(chǎng)管容量大 D.IGBT的開(kāi)關(guān)損耗比場(chǎng)管大 E.IGBT 適合低于20KHZ的逆變電路,場(chǎng)管適合200KHZ以下的逆變電路
A.1990 B.1995 C.1998 D.2000