A.場管比IGBT頻率高 B.IGBT比場管導(dǎo)通壓降低 C.單支IGBT的 功率容量比場管容量大 D.IGBT的開關(guān)損耗比場管大 E.IGBT 適合低于20KHZ的逆變電路,場管適合200KHZ以下的逆變電路
A.1990 B.1995 C.1998 D.2000
A.WSE200 B.WSM315 C.WS400 D.WSME315