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問答題

【簡答題】在晶體生長過程中維持其過飽和度的途徑有哪些？

答案：（1）據(jù)溶解度曲線，改變溫度；——降溫法
（2）采取各種方式（如蒸發(fā)、電解）移去溶劑，...

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【簡答題】簡述溶液法最關(guān)鍵因素

答案：是控制溶液的過飽和度，使溶液達(dá)到過飽和狀態(tài)，晶體只有在穩(wěn)定的過飽和溶液中生長才能確保晶體的質(zhì)量。

【簡答題】簡述浮區(qū)法（垂直區(qū)熔法）特點(diǎn)

答案：不需要坩堝，可以生長高熔點(diǎn)材料晶體。（例如，W單晶，熔點(diǎn)3400℃）熔區(qū)的穩(wěn)定靠表面張力與重力的平衡來保持