- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問答題
【簡答題】簡述溶液法最關(guān)鍵因素
答案：
是控制溶液的過飽和度，使溶液達(dá)到過飽和狀態(tài)，晶體只有在穩(wěn)定的過飽和溶液中生長才能確保晶體的質(zhì)量。
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】簡述浮區(qū)法（垂直區(qū)熔法）特點(diǎn)
答案：
不需要坩堝，可以生長高熔點(diǎn)材料晶體。（例如，W單晶，熔點(diǎn)3400℃）熔區(qū)的穩(wěn)定靠表面張力與重力的平衡來保持
