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填空題

光刻中影響甩膠后光刻膠膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

答案： 溶解度；溫度；甩膠時(shí)間；轉(zhuǎn)速
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填空題

常規(guī)硅集成電路平面制造工藝中光刻工序包括的步驟有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
答案： 涂膠；前烘；曝光；顯影；堅(jiān)膜；腐蝕；去膠
填空題

特大規(guī)模集成電路（ULIC）對(duì)光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五個(gè)方面。
答案： 高分辨率；高靈敏度的光刻膠；低缺陷；精密的套刻對(duì)準(zhǔn)；對(duì)大尺寸硅片的加工
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