集成電路技術(shù)綜合練習(xí)問(wèn)答題每日一練(2019.01.25)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么?
2.問(wèn)答題MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么,其對(duì)晶體管有什么影響?
3.問(wèn)答題何為分辨率、對(duì)比度、IC制造對(duì)光刻技術(shù)有何要求?
4.問(wèn)答題異質(zhì)結(jié)有什么特點(diǎn)?它適宜于制作哪些器件?
5.問(wèn)答題解決數(shù)模信號(hào)之間串?dāng)_的措施有哪些?