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問答題
【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義,并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù),及他們對生長速率的主要影響。
答案:
氧化生長速率是用于描述氧化物在硅片上生長的快慢。當(dāng)氧化劑的量足夠時,SiO
2
生長的快慢最終由氧化劑...
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【簡答題】試給出硅片上的熱氧化生長過程的示意圖,并說明其中的各物理量的基本含義。
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F:number/(cm
2
-s)
C:number/cm
3
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問答題
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答案:
Deal-Grove氧化模型(線性-拋物線模型 linear-parabolic model),是可...
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