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問答題

【案例分析題】用強光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產生過剩載流子，產生率為，空穴壽命為τ。寫出光照下過剩載流子所滿足的方程

答案：

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【計算題】
在一個n型半導體樣品中，過剩空穴濃度為10¹³cm^-3，空穴的壽命為100us。計算空穴的復合率。已知：

求：U=？

答案：

【計算題】在忽略界面態(tài)影響的情況下，可用什么實驗方法測量MIS結構的絕緣層中的可動電荷，說明實驗步驟和計算依據(jù)。

答案：

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