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填空題

在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時，硅片增厚了（）μm。

答案： 0.28

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?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅（）發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。

答案：界面

低壓氣相外延能降低（）效應(yīng)，從而降低了外延時的雜質(zhì)再分布。

答案：自摻雜

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