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問答題
【計算題】如果要在一個1.0PF的電容器中產(chǎn)生1.0A的位移電流，加上電容器上的電壓變化率為多少？
答案：
因為Id=CdU/dt，所以電壓變化率為dU/dt=Id/C=1/10-12=1012（V·s-1）．
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問答題
【計算題】
試證：平行板電容器中的位移電流可寫成
的形式，式中C是電容器的電容，U是兩板間的電勢差．對于其他的電容器上式可以應用嗎？
答案：
根據(jù)麥克斯韋理論：通過電場任意截面的位移電流強度等于通過該截面電位移通量的時間變化率，即Id=dΦD/dt.
問答題
【計算題】
一螺繞環(huán)中心軸線的周長L=500mm，橫截面為正方形，其邊長為b=15mm，由N=2500匝的絕緣導線均勻密繞面成，鐵芯的相對磁導率μr=1000，當導線中通有電流I=2.0A時，求：
（1）環(huán)內(nèi)中心軸線上處的磁能密度；
（2）螺繞環(huán)的總磁能．
答案：
（1）設螺繞環(huán)單位長度上的線圈匝數(shù)為n=N/L，中心的磁感應強度為B=μnI，其中μ=μrμ0....
