多項(xiàng)選擇題

關(guān)于電源、地層的描述，請(qǐng)選出描述正確的項(xiàng)（）。

A.與元件面相鄰的層為地平面；
B.所有信號(hào)層盡可能與地平面相鄰；
C.主電源盡可能與其對(duì)應(yīng)地相鄰；
D.兼顧層壓結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)；

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請(qǐng)選出下面關(guān)于DDR2描述錯(cuò)誤的項(xiàng)（）。

A.數(shù)據(jù)線(xiàn)、地址（控制）線(xiàn)、時(shí)鐘線(xiàn)之間的距離保持20mil以上或至少3W；
B.數(shù)據(jù)、時(shí)鐘優(yōu)先參考地平面，所有信號(hào)要有完整的參考平面；
C.布線(xiàn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)默認(rèn)采用T型；
D.所有地址、數(shù)據(jù)、控制、時(shí)鐘信號(hào)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要保持一致；

多項(xiàng)選擇題

請(qǐng)選出下面常用在DDR2的設(shè)計(jì)中的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（）。

A.Fly_by；
B.星形；
C.T型；
D.菊花鏈

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關(guān)于電源、地層的描述，請(qǐng)選出描述正確的項(xiàng)（）。

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請(qǐng)選出下面關(guān)于DDR2描述錯(cuò)誤的項(xiàng)（）。

請(qǐng)選出下面常用在DDR2的設(shè)計(jì)中的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（）。

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關(guān)于電源、地層的描述，請(qǐng)選出描述正確的項(xiàng)（）。

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請(qǐng)選出下面常用在DDR2的設(shè)計(jì)中的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（）。