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問答題

【簡答題】Poly（多晶硅）柵極的刻蝕（etch）要注意哪些地方？

答案： ①Poly 的CD（尺寸大小控制；
②避免Gate oxie 被蝕刻掉，造成基材...

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【簡答題】Poly（多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些？

答案： ①Gate oxide（柵極氧化層）的沉積；
②Poly film的沉積及SiON（在光刻...

【簡答題】一般的離子注入層次（Implant layer）工藝制造可分為那幾道步驟?

答案：一般包含下面幾道步驟：
①光刻（Photo）及圖形的形成；
②離子注入調(diào)整；
③離子注入完...

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