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單項選擇題

一個以N-Si為襯底的理想MOS結(jié)構(gòu)中,()

A.其閾值電壓應該是正的
B.強反時,其空間電荷區(qū)中的電荷應該是負的
C.積累狀態(tài)時所加的柵電壓應該是負的
D.其費米勢應該是負的

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