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填空題
Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝
答案：
5微米；多晶硅柵
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填空題
為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）
答案：
回流；化學(xué)機(jī)械拋光；硼硅玻璃（BSG）、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）
填空題
要實(shí)現(xiàn)金屬互連線與Si的良好歐姆接觸，還必須做（）處理。為了避免鋁釘扎和電遷移現(xiàn)象，常用（）、（）合金和（）替代純鋁。鋁合金化工藝的條件是：（）
答案：
合金化；Al-Si；Cu-Al；Cu；450℃，30分，N2/H2（4：1）
