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問答題
【簡答題】試解釋為什么GTR有二次擊穿現(xiàn)象，而Power MOSFET沒有。
答案：
GTR有二次擊穿現(xiàn)象，而PowerMOSFET沒有二次擊穿現(xiàn)象的根本原因是這兩種器件的工作載流子性質(zhì)不同。GTR這類雙極...
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問答題
【簡答題】試說明動態(tài)參數(shù)通態(tài)電流臨界上升率di/dt和斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt的意義。
答案：
晶閘管門極注入觸發(fā)電流后，晶閘管開始只在靠近門極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通，隨著時(shí)間的推移，導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)大到PN結(jié)的全部面積。...
問答題
【簡答題】試解釋Power MOSFET的開關(guān)頻率高于GTR、IGBT、GTO。
答案：
Power MOSFET為單極性器件，沒有少數(shù)載流子存貯效應(yīng)，反向恢復(fù)時(shí)間很短。
