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問答題

【簡答題】試問單管DRAM單元的讀出是不是破壞性的？怎樣補充這一不足？（選作）有什么辦法提高refresh time？

答案：單管DRAM單元的讀出是破壞性的，存放在單元中的電荷數(shù)量在讀操作期間會被修改，因此為了使一次讀操作后再恢復它原來的值，單...

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【簡答題】
給出單管DRAM的原理圖。并按圖中已給出的波形畫出X波形和BL波形，并大致標出電壓值。

答案：

【簡答題】簡述sram，flash memory及dram的區(qū)別？

答案： sram：靜態(tài)隨機存儲器，存取速度快，但容量小，掉電后數(shù)據(jù)會丟失，制造成本較高，通常用來作為快取(CACHE)&ensp...