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填空題
半導(dǎo)體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結(jié)隔離適合（）的器件。目前大多數(shù)CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質(zhì)場區(qū)氧化層采用（）工藝生長。
答案：
P-N結(jié)隔離；介質(zhì)隔離；溝槽隔離；低密度、低成本；介質(zhì)；局部氧化（LOCOS）
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填空題
免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。
答案：
降低；增加基區(qū)寬度（即P-NMOS管的間距和阱深）；增加基區(qū)摻雜；保護(hù)環(huán)；采用深槽隔離；采用SOI材料作襯底
填空題
閂鎖效應(yīng)（可控硅效應(yīng)），是CMOS電路遇到的（）問題。在CMOS電路正常工作時，由于（）的突然被激發(fā)，器件電流突然（），甚至很快因Al（），使電路失效。
答案：
破壞性；寄生晶體管；大幅上升；連線熔斷
