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單項(xiàng)選擇題

單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×10¹⁹/cm³，求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

A.1.34×10⁹/cm³
B.6.7×10⁸/cm³
C.2.2×10⁹/cm³
D.1.1×10⁹/cm³

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單項(xiàng)選擇題

已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10^-8cm，固有振動(dòng)頻率為10¹²Hz，晶格勢(shì)能壘為0.5eV，求300K時(shí)的離子遷移率為（）。

A.1.24×10^-10cm²/s·V
B.6.19×10^-11cm²/s·V
C.9.14×10^-10cm²/s·V
D.4.57×10^-10cm²/s·V

單項(xiàng)選擇題

下圖屬于四價(jià)原子二維正方格子的近自由電子費(fèi)密面的是（）。

A.A
B.B
C.C
D.D