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問答題

【簡答題】簡述IC制造中一般采用的三種外延方法

答案： 1、氣相外延（VPE）：常用的硅外延方法，屬于CVD范疇
2、金屬有機CVD（MOCVD）：用來淀積化合物半導(dǎo)...

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答案：（1）離子誘導(dǎo)淀積：指離子被托出等離子體并淀積形成間隙填充的現(xiàn)象
（2）濺射刻蝕：具有一定能量的Ar和因為硅片...

【簡答題】化學(xué)氣相淀積（CVD）的概念，有哪五種基本化學(xué)反應(yīng)？

答案：（1）高溫分解：通常在無氧的條件下，通過加熱化合物分解
（2）光分解：利用輻射使化合物的化學(xué)鍵斷裂分解

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