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判斷題

EEPROM可以通過(guò)加電擦除其內(nèi)容，但是不能多次改寫(xiě)。必須用特殊計(jì)算機(jī)重新寫(xiě)入新的內(nèi)容。

答案：錯(cuò)誤

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EPROM出廠時(shí)沒(méi)有寫(xiě)入信息，允許用戶(hù)用特定設(shè)備將編寫(xiě)好的程序固化在PROM中，內(nèi)容寫(xiě)入后不能被更改。

答案：錯(cuò)誤

SRAM的存取速度比DRAM更高，因此常用SRAM作高速緩沖存儲(chǔ)器Cache。

答案：正確

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