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問答題

【計算題】
制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴(kuò)散），要求距表面10^-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D_1600℃＝8×10^-12cm²/s；當(dāng)）？

答案：

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【計算題】
已知氫和鎳在面心立方鐵中的擴(kuò)散數(shù)據(jù)為cm²/s和cm²/s試計算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對其差別進(jìn)行解釋

答案：

原因：與鎳原子相比氫原子小得多，更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴(kuò)散

【計算題】
欲使Ca²⁺在CaO中的擴(kuò)散直至CaO的熔點（2600℃）時都是非本質(zhì)擴(kuò)散，要求三價離子有什么樣的濃度？試對你在計算中所做的各種特性值的估計作充分說明。已知CaO肖特基缺陷形成能為6eV

答案：

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