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填空題

晶體管穿透電流I_CEO是反向飽和電流I_CBO的（）倍，在選用晶體管的時(shí)候，一般希望I_CBO盡量（）。

答案： 1+β；小

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硅二極管的死區(qū)電壓約為（）V，鍺二極管的死區(qū)電壓約為（）V。

答案：

0.5；0.1

PN結(jié)中進(jìn)行著兩種載流子的運(yùn)動(dòng)：多數(shù)載流子的（）運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載流子的（）運(yùn)動(dòng)。

答案：擴(kuò)散；漂移

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