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問答題
【簡(jiǎn)答題】解釋曝光后烘烤的目的。PEB（曝光后烘烤）烘烤過度和不足會(huì)產(chǎn)生什么問題？
答案：
目的：降低駐波效應(yīng)
不足：無法消除駐波效應(yīng)，影響分辨率。
過度：造成光刻膠的聚合作用，影響顯影過程，導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移失敗。
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問答題
【簡(jiǎn)答題】軟烘烤的目的是什么？列出烘烤過度和不足會(huì)產(chǎn)生什么后果？
答案：
目的：將光刻膠從液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)，增強(qiáng)光刻膠在晶體表面的附著力。
使光刻膠含有5%-20%的殘余溶劑。
使光刻膠含有5%-20%的殘余溶劑。
問答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述光刻工藝的8道工序
答案：
八道工序?yàn)椋壕A清洗、預(yù)烘培和底漆涂敷、光刻膠自旋涂敷、軟烘烤、對(duì)準(zhǔn)和曝光、曝光后烘烤，以及顯影、硬烘烤和圖形檢測(cè)
