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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】描述平板反應(yīng)器。
答案：
首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，
然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，
最后進(jìn)行干法等...
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答案：
刻蝕硅采用的化學(xué)氣體為CF4/O2和CL2.刻蝕二氧化...
問(wèn)答題
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答案：
1.對(duì)不需要刻蝕的材料的高選擇比
2.獲得可接受的產(chǎn)能的刻蝕速率
3.好的側(cè)壁剖面控制
4...
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3.好的側(cè)壁剖面控制
4...
