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【簡(jiǎn)答題】描述場(chǎng)氧化層及其厚度范圍。
答案:
場(chǎng)氧化層:抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層
范圍:2500~12000 * 10^-10(A...
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【簡(jiǎn)答題】生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么?
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在升溫環(huán)境里,通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng),可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層;沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣...
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【簡(jiǎn)答題】什么是淺槽隔離(STI),它取代了什么工藝?
答案:
淺槽隔離(STI)是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。
取代了局域氧化工藝(LOCOS)
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