97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<ins id="qgxea"></ins>

填空題

MOSFET的跨導(dǎo)的定義是（），反映了（）對(duì)（）的控制能力。

答案：轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率；柵源電壓；漏極電流

你可能感興趣的試題

由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問(wèn)題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問(wèn)題（）。

答案：大；襯底；嚴(yán)重

由于柵氧化層中通常帶（）電荷，所以（）型區(qū)比（）型區(qū)更容易發(fā)生反型。

答案：正；P；N

<ruby id="f58tw"><xmp id="f58tw"></xmp></ruby>