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填空題
P溝道MOSFET的襯底是()型半導(dǎo)體,源區(qū)和漏區(qū)是()型半導(dǎo)體,溝道中的載流子是()。
答案:
N;P;空穴
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N溝道MOSFET的襯底是()型半導(dǎo)體,源區(qū)和漏區(qū)是()型半導(dǎo)體,溝道中的載流子是()。
答案:
P;N;電子
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填空題
對(duì)高頻晶體管結(jié)構(gòu)上的基本要求是:()、()、()和()。
答案:
尺寸??;結(jié)深淺;線條細(xì);非工作基區(qū)重?fù)诫s
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