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填空題
晶體管中的少子在渡越（）的過(guò)程中會(huì)發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。
答案：
基區(qū)；復(fù)合；小
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填空題
晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（）電流與（）電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過(guò)程中會(huì)發(fā)生（），從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（）。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（）基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度。
答案：
基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子；從發(fā)射結(jié)剛注入基區(qū)的少子；復(fù)合；小于 1；遠(yuǎn)小于
