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填空題

當采用耗盡近似時，由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場的斜率越（）。

答案：大

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在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（）電荷。內(nèi)建電場的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。

答案：負；正；N；P

MOSFET本征電容

答案：即交流小信號或大信號工作時電路的等效電容，它包括柵漏電容和柵源電容，柵漏電容是柵源電壓不變、漏源電壓變化引起溝道電荷的變...

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