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問答題

【計算題】設(shè)電子遷移率為0.1cm²/V.s，硅的電子有效質(zhì)量m_cn=0.26m₀，如加以強(qiáng)度為10⁴V/m的電場，試求平均自由時間和平均自由程。

答案：

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【計算題】在500g的硅單晶中摻有4.5×10^-5g的硼，設(shè)雜質(zhì)全部電離，求該材料的電阻率（設(shè)μ_p=400cm²/V.s），硅單密度為2.33g/cm³，硼的原子量為10.8）。

答案：

【計算題】本征硅在室溫時電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當(dāng)摻入百萬分之一的A_s后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？

答案：

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