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判斷題

制備多晶硅之前先做一層薄氧，這層薄氧是柵氧。

答案：錯誤

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制作場氧區(qū)的時候，氮化硅的作用是作為LOCOS氧化時的掩蔽層。

答案：正確

采用雙阱工藝，可以實現(xiàn)PMOS和NMOS的獨立控制。

答案：正確