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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】請(qǐng)畫出晶體管的ID—VDS特性曲線，指出飽和區(qū)和非飽和區(qū)的工作條件及各自的電流方程（忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和短溝道效應(yīng)）。
答案：
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么MOS晶體管會(huì)存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？
答案：
晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時(shí)，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，對(duì)器件有什么影響？
答案：
MOS晶體管存在速度飽和效應(yīng)。器件工作時(shí)，當(dāng)漏源電壓增大時(shí)，實(shí)際的反型層溝道長(zhǎng)度逐漸減小，即溝道長(zhǎng)度是漏源電壓的函數(shù)，這...
