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多項選擇題

在STI工藝中，緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術(shù)正確的是（）。

A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝

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多項選擇題

1990’s CMOS IC 工藝技術(shù)特征是（）。

A.淺槽隔離工藝
B.鋁柵工藝
C.多晶硅柵工藝
D.硅外延片襯底

多項選擇題

?Stepper的優(yōu)點有（）。

A.光刻版的精度和良率高
B.可分步重復(fù)曝光
C.減小了塵埃的影響
D.套刻精度高