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問答題

【簡答題】用Grove模型解釋分別在高溫區(qū)、低溫區(qū)外延生長時溫度與生長速度的關(guān)系。

答案：

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【簡答題】詳述影響硅外延生長速率的因素。

答案：

【計算題】
要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge單晶，所用的雜質(zhì)為Ga-Ge合金，合金中P型Ge濃度為C_m=1017cm^-3，原料為純Ge，問需要多少克Ga-Ge合金？

答案：

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