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SF6的擊穿電壓均勻性在不同的電場中差異較大,在均勻電場中SF6的擊穿電壓比在極不均勻電場中小。()
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在相同條件下,直流下局部放電產(chǎn)生的破壞作用遠(yuǎn)比交流下的小。()
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