A.適當降低該小區(qū)的邊緣切換門限；
B.提高其優(yōu)先級，同時適當調整該小區(qū)與相鄰小區(qū)的層間切換門限，調整吸收話務的強度；
C.增大與相鄰小區(qū)的小區(qū)間切換磁滯；
D.適當降低該小區(qū)的CRO。

A.使用的有源器件盡量少
B.多小區(qū)覆蓋，各小區(qū)系統(tǒng)拓撲結構相互獨立，可以交疊。
C.干線放大器應用在系統(tǒng)中，可以串聯(lián)應用。
D.使用的有源器件盡量多