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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是IGBT的擎住現(xiàn)象？使用中如何避免？
答案：
IGBT由于寄生晶閘管的影響，可能是集電極電流過(guò)大（靜態(tài)擎住效應(yīng)），也可能是duce/dt過(guò)大（動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)），會(huì)產(chǎn)生不...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】IGBT有哪些突出優(yōu)點(diǎn)？
答案：
IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】描述GTR的二次擊穿特性。
答案：
GTR的集電極電壓升高至前面所述的擊穿電壓時(shí)，集電極電流迅速增大，這種首先出現(xiàn)的擊穿是雪崩擊穿，被稱為一次擊穿。出現(xiàn)一次...
