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問答題

【簡答題】淀積擴散主要受哪些因素的控制?

答案: 時間和溫度。
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問答題

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答案: 同型摻雜:所摻雜質(zhì)與晶圓中原有雜質(zhì)類型相同。
目的:提高限定區(qū)域中的雜質(zhì)原子的濃度。
反型摻雜:摻雜...
問答題

【簡答題】試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

答案: 在晶圓表面產(chǎn)生特定數(shù)量的摻雜原子;
在晶圓表面下的特定位置處形成pn結(jié);
在晶圓表面層形成特定的摻雜...
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