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問(wèn)答題

【計(jì)算題】
用適當(dāng)頻率的方脈沖照射到某n型半導(dǎo)體樣品，被樣品內(nèi)部均勻吸收并產(chǎn)生非平衡載流子，其產(chǎn)生率為g_p，非平衡載流子的壽命為τ_p，光脈沖寬度Δt=3τ_p。
1）試寫(xiě)出在該脈沖光開(kāi)始照射到結(jié)束以后，非平衡空穴所滿足的方程式。
2）設(shè)t=0的瞬間，脈沖光開(kāi)始照射，試求脈沖光開(kāi)始照射到結(jié)束后的整個(gè)時(shí)間內(nèi)，非平衡空穴隨時(shí)間變化的規(guī)律。
3）在用直流光電導(dǎo)衰減法測(cè)量非平衡載流子壽命的實(shí)驗(yàn)中，在示波器上觀察的是哪段曲線？所謂的壽命是指曲線上的哪段時(shí)間？由此如何定義非平衡載流子的壽命？

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量E_c（k）和價(jià)帶極大值附近能量E_v（k）分別為：

試求：
1）禁帶寬度；
2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量；
3）價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量；
4）價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】
溫度為300K時(shí)本征硅的電子濃度1.5×10¹⁰cm^-3，電子和空穴遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S。
1）計(jì)算硅的本征電導(dǎo)率。
2）硅的原子密度為5.00×10²²/cm³。當(dāng)摻入百萬(wàn)分之一的As后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計(jì)算其電導(dǎo)率。比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？
3）若該樣品所加的電場(chǎng)強(qiáng)度為1.34V/cm，試求流過(guò)該樣品的電流密度是多少？

答案：

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