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位錯就是由范性形變造成的,它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離,位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位,這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。()
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判斷題
點缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它們構(gòu)成的復合體。()
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判斷題
遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導率就越高。()
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