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判斷題

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）

答案：正確

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

答案：正確

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

答案：錯(cuò)誤

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