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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

答案：工藝中添加了基區(qū)摻雜的工藝步驟，這樣就形成了較薄的基區(qū)，提高了NPN晶體管的性能；
制作NPN管的N阱將NPN...

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】以P阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝存在哪些缺點(diǎn)？

答案：由于NPN晶體管的基區(qū)在P阱中，所以基區(qū)的厚度太大，使得電流增益變小
集成電路的串聯(lián)電阻很大，影響器件性能

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】哪種BiCMOS工藝用的較多？為什么？

答案：

雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝用的多
影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。