將兩次MASK步驟合為一次,讓D,S和G三個(gè)區(qū)域一次成形
CGS、CGD都增大了;柵極增長(zhǎng),管子尺寸變大,集成度降低。
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟,不容易對(duì)齊