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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】砷化鎵相對(duì)于硅的主要優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域。
答案：
主要用于高速高頻領(lǐng)域；
優(yōu)點(diǎn)：
（1）比硅更高的電子遷移率（應(yīng)用于高頻）；
（2）有減小寄...
優(yōu)點(diǎn)：
（1）比硅更高的電子遷移率（應(yīng)用于高頻）；
（2）有減小寄...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】化合物半導(dǎo)體的主要類型，各自的典型材料及主要應(yīng)用領(lǐng)域。
答案：
III-V族化合物：砷化鎵（GaAs）鍺硅（SiGe），主要用于高速高頻領(lǐng)域；
II-VI族化合物：碲化鎘（C...
II-VI族化合物：碲化鎘（C...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是摻雜？為什么摻雜對(duì)半導(dǎo)體制造很重要？說(shuō)明摻雜硅的兩種主要類型及他們之間的最主要區(qū)別。
答案：
摻雜是指在半導(dǎo)體材料的特定區(qū)域中通過(guò)加入某些雜質(zhì)元素從而改變?cè)摬牧系碾妼W(xué)特性的過(guò)程。IC的核心是制造半導(dǎo)體器件，而制造器...
