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問答題
【簡(jiǎn)答題】為什么柵介質(zhì)層的厚度減少有一個(gè)大致的極限？為什么現(xiàn)在需要高K值（介電常數(shù)）的柵介質(zhì)？低K介質(zhì)用在什么地方？為什么？
答案：
隨著特征尺寸的縮小，柵氧化層越來(lái)越薄，柵極隧穿漏電流指數(shù)性增加，從而導(dǎo)致功耗增加。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚度...
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問答題
【簡(jiǎn)答題】在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應(yīng)來(lái)自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請(qǐng)舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應(yīng)的方法。
答案：
抑制CMOS電路中閂鎖效應(yīng)（Latchup）的方法有：
①SOI襯底技術(shù)；
②大劑量離子注入形成深埋...
①SOI襯底技術(shù)；
②大劑量離子注入形成深埋...
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【簡(jiǎn)答題】比較投影掩模版和光學(xué)掩模版有何異同？說明采用什么技術(shù)形成投影掩模版上的圖形？
答案：
投影掩膜版：圖形可能僅包含一個(gè)管芯，也可能是幾個(gè)。容易形成亞微米圖形；小曝光場(chǎng)，需要步進(jìn)重復(fù)；光學(xué)縮小，允許較大的尺寸。...
