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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】Si3N4材料在半導(dǎo)體工藝中能否用作層間介質(zhì)，為什么？請(qǐng)舉兩例說(shuō)明Si3N4在集成電路工藝中的應(yīng)用。

答案： Si3N4材料在半導(dǎo)體工藝中不能用作層間介質(zhì)，因?yàn)镾i3N4材料的介電常數(shù)大，用作層間介質(zhì)會(huì)引起很?chē)?yán)重的互連延遲。

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答案：低k材料用于層間介質(zhì)，因?yàn)榈蚹介質(zhì)減小電容，從而減小RC信號(hào)延遲，提高器件工作頻率。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚...